插槽是不一样，DDR3比DDR2频率高，速度快，容量大，性能高。
DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限，当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。
一、DDR2与DDR3内存的特性区别：
1、逻辑Bank数量
DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
2、封装(Packages)
由于DDR3新增了一些功能，在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。
3、突发长度(BL，Burst Length)
由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期(BL，Burst Length)也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bit Burst Chop(突发突变)模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。
4、寻址时序(Timing)
就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD)，这一参数将根据具体的工作频率而定。
二、与DDR2相比DDR3具有的优点(桌上型unbuffered DIMM)：
1.速度更快：prefetch buffer宽度从4bit提升到8bit，核心同频率下数据传输量将会是DDR2的两倍。
2.更省电：DDR3 Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT(Self-Refresh Temperature)功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率(RASR，Partial Array Self-Refresh功能)，达到省电目的。
3.容量更大：更多的Bank数量，依照JEDEC标准，DDR2应可出到单位元元4Gb的容量(亦即单条模块可到8GB)，但目前许多DRAM厂商的规划，DDR2生产可能会跳过这个4Gb单位元元容量，也就是说届时单条DDR2的DRAM模块，容量最大可能只会到4GB。而DDR3模块容量将从1GB起跳，目前规划单条模块到16GB也没问题(注意：这里指的是零售组装市场专用的unbuffered DIMM而言，server用的FB与Registered不在此限)。
