现代内存颗粒的编号也是由四段字母或数字组成，具体分布请看下图。A、B四部分的含义与三星内存颗粒编号的含义相同，分别表示该内存颗粒的生产企业及生产日期。C、D部分所包含的内容主要是指内存的相关规格。接下来我们就详细分解。
A部分不用多说，铁定都是Hynix的LOGO。
B部分是生产日期，由三个数字和一个字母组成，和三星内存颗粒的编号一样，第一个数字表示生产年份，后两位数字表示在该年的第XX周生产。最后的字母，由于在官方文件中没有解释，笔者也未弄明白。
C部分也是表示该内存颗粒的频率、延迟参数。由1-3位字母和数字共同组成。根据频率、延迟参数不同，分别用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。
其中：
“D5”代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4；
“D43”代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3；
“D4”代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-4；
“J”代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；
“M”代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；
“K”代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；
“H”代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；
“L”代表DDR200（100MHz），延迟为2-2-2。
补充：紧接这C部分的数字后面，实际上还有一个编号，只是这个编号一般并没有被标示出来。他用来表示内存颗粒的工作温度和应用等级。用“Bank、I、E”来表示不同的工作温度和应用等级，其中：
“Blank”代表商业型，工作温度在0 °C~70 °C之间；
“E”代表增强型，工作温度在-25°C~85 °C之间；
“I”代表工业型，工作温度在-40°C~85 °C之间。
总结:
1． HY代表着该颗粒是现代制造的产品。
2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））
12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
